Anisotropic chemical etching of semipolar {10\bar {1}\bar {1}\}\mbox {/} \{10\bar{1}{+}1\} ZnO crystallographic planes: Polarity versus dangling bonds

  1. Palacios-Lidón, E.
  2. Pérez-García, B.
  3. Vennéguès, P.
  4. Colchero, J.
  5. Mũoz-Sanjosé, V.
  6. Zú̃iga-Pérez, J.
Revista:
Nanotechnology

ISSN: 0957-4484 1361-6528

Ano de publicación: 2009

Volume: 20

Número: 6

Tipo: Artigo

DOI: 10.1088/0957-4484/20/6/065701 GOOGLE SCHOLAR

Obxectivos de Desenvolvemento Sustentable