Anisotropic chemical etching of semipolar {10\bar {1}\bar {1}\}\mbox {/} \{10\bar{1}{+}1\} ZnO crystallographic planes: Polarity versus dangling bonds

  1. Palacios-Lidón, E.
  2. Pérez-García, B.
  3. Vennéguès, P.
  4. Colchero, J.
  5. Mũoz-Sanjosé, V.
  6. Zú̃iga-Pérez, J.
Zeitschrift:
Nanotechnology

ISSN: 0957-4484,  1361-6528

Datum der Publikation: 2009

Ausgabe: 20

Nummer: 6

Art: Artikel

DOI: 10.1088/0957-4484/20/6/065701 GOOGLE SCHOLAR

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